Tipo fotodiodo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs de InGaAs da área pequena de 1100nm-1650nm
50 PCes
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preço
InGaAs Detector Chip SC Type 1100nm-1650nm Small Area InGaAs Photodiode
Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações
Características
Informação básica
Lugar de origem: China
Marca: HICORPWELL
Certificação: ISO9001;2015
Número do modelo: Fotodiodo de InGaAs com tipo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs
Realçar:

Fotodiodo do laser Ingaas da fibra

,

tipo fotodiodo do SC de InGaAs

,

fotodiodo de Ingaas da área pequena

Condições de Pagamento e Envio
Detalhes da embalagem: Caixa do ESD
Termos de pagamento: Western Union, L/C, T/T
Habilidade da fonte: 500pcs pela semana
Especificações
Tipo: Fotodiodo de InGaAs com tipo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs
Responsivity alto: ≥0.85A/W 1310nm ≥o.90nm 1550nm
Corrente dianteira: 30V
Tipo do laser: Laser da fibra
Pagamento: TT/PayPal
Tensão reversa máxima: 15 (PALÁDIO)
Opções do comprimento: opção de 0.1~1m
Fibra: Manutenção programada 9/125
Poder: 2mw
Pacote: Caixa do ESD
Descrição de produto

fotodiodo de InGaAs da área 1100nm-1650nm pequena com tipo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs

 

 

O fotodiodo de InGaAs da área 1100nm-1650nm pequena usa uma microplaqueta do detector de InGaAs, e caracteriza um consumo da baixa potência,

sensibilidade atual, alta escura pequena, grandes linearidades, design compacto e volume pequeno.

O equipamento é o mais de uso geral em receptores de CATV, em equipamento da detecção do poder e em receptores do sinal ótico para sistemas análogos.

 

Tipo fotodiodo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs de InGaAs da área pequena de 1100nm-1650nm 0         Tipo fotodiodo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs de InGaAs da área pequena de 1100nm-1650nm 1

 

 

Avaliações máximas absolutas

 

 

Parâmetro Símbolo Avaliações Unidade
Temperatura de armazenamento Tstg ~40 〜 +100 °C
Temperatura de funcionamento Parte superior -40 〜 +85 °C
Max Input Power Pmax +4 dBm
Tensão de funcionamento Vop 5 V
Tensão reversa do paládio VR (PALÁDIO) 25 V
Temp de solda - 260 °c
Tempo de solda - 10 s

 

Características óticas & elétricas

 

 

Parâmetro Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidade Condição de teste
Escala de comprimento de onda λ 1100 - 1650 nanômetro -
Escala de poder P -70 - +4 dBm V=5V
Diâmetro ativo Anúncio   75   um -
Corrente escura Identificação - 0,2 0,5 nA -
Responsivity R - 0,85 0,90 A/W 入 =1310 nanômetro
  0,90 0,95 入 =1550 nanômetro
Largura de banda da frequência Bw 1   2000 Megahertz  
Resposta de frequência Franco - 土 0,5 - DB  
Capacidade Ct - 0,65 0,75 PF -
Tempo de resposta Tr 0,1 -   ns -
Perda de retorno R1     -45 DB  
cso do cso - - -70 - dBc 45~860MHz
CTB CTB - - -80 - dBc 45~860MHz

 

Informação da ordem:

 

X — X X R — X X X  
Tipo conector Superfície fotossensível (um) Configuração do paládio ROHS Adaptador Tecnologia Comprimento de onda do receptor  
 

: FC-1

B: FC-2

C: FC-3

D: SC

E: ST

55: φ55

60: φ60

70: φ70

3H: φ300

5H: φ500

1K: φ1000

: tipo A

B: tipo B

C: tipo C

R: passagem ROHS

 

B: metal com virola cerâmica

C: adaptador platic sem cerâmico

D: adaptador platic com cerâmico

G: tipo da colagem

N: Soldadura de laser

Mim: com o filtro 1550nm

N: 900-1650n

m

 

 

Hicorpwell é uma tomada profissional nos módulos coaxiais do diodo do fotodetector de InGaAs (receptáculo ativo ótico análogo ROSA para obstruir dentro)

fabricante em China. Nós igualmente fornecemos diodos láser da borboleta, diodo de detector coaxial do laser da trança de InGaAs, dispositivo coaxial do laser do diodo da trança

e mais.

 

Atribuição de Pin 5.PD:

 

 

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