fotodiodo de InGaAs da área 1100nm-1650nm pequena com tipo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs
50 PCes
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1100nm-1650nm Small Area InGaAs Photodiode With InGaAs Detector Chip SC Type
Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações
Características
Informação básica
Lugar de origem: China
Marca: HICORPWELL
Certificação: ISO9001;2015
Número do modelo: Fotodiodo de InGaAs com tipo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs
Realçar:

Fotodiodo de InGaAs da área pequena

,

fotodiodo de 1650nm InGaAs

,

Fotodiodo do laser InGaAs da fibra

Condições de Pagamento e Envio
Detalhes da embalagem: Caixa do ESD
Termos de pagamento: Western Union, L/C, T/T
Habilidade da fonte: 500pcs pela semana
Especificações
tipo: Fotodiodo de InGaAs com tipo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs
Responsivity alto: ≥0.85A/W 1310nm ≥o.90nm 1550nm
Corrente dianteira: 30v
Tipo do laser: Laser da fibra
Pagamento: TT/Paypal
Tensão reversa máxima: 15 (PALÁDIO)
Opções do comprimento: opção de 0.1~1m
Fibra: SM 9/125
Poder: 2mW
Pacote: Caixa do ESD
Descrição de produto

fotodiodo de InGaAs da área 1100nm-1650nm pequena com tipo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs

 

 

O fotodiodo de InGaAs da área 1100nm-1650nm pequena usa uma microplaqueta do detector de InGaAs, e caracteriza um consumo da baixa potência,

sensibilidade atual, alta escura pequena, grandes linearidades, design compacto e volume pequeno.

O equipamento é o mais de uso geral em receptores de CATV, em equipamento da detecção do poder e em receptores do sinal ótico para sistemas análogos.

 

fotodiodo de InGaAs da área 1100nm-1650nm pequena com tipo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs 0         fotodiodo de InGaAs da área 1100nm-1650nm pequena com tipo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs 1

 

 

Avaliações máximas absolutas

 

 

Parâmetro Símbolo Avaliações Unidade
Temperatura de armazenamento Tstg ~40 〜 +100 °C
Temperatura de funcionamento Parte superior -40 〜 +85 °C
Max Input Power Pmax +4 dBm
Tensão de funcionamento Vop 5 V
Tensão reversa do paládio VR (PALÁDIO) 25 V
Temp de solda - 260 °c
Tempo de solda - 10 s

 

Características óticas & elétricas

 

 

Parâmetro Símbolo Mínimo. Tipo. Máximo. Unidade Condição de teste
Escala de comprimento de onda λ 1100 - 1650 nanômetro -
Escala de poder P -70 - +4 dBm V=5V
Diâmetro ativo Anúncio   75   um -
Corrente escura Identificação - 0,2 0,5 nA -
Responsivity R - 0,85 0,90 A/W 入 =1310 nanômetro
  0,90 0,95 入 =1550 nanômetro
Largura de banda da frequência Bw 1   2000 Megahertz  
Resposta de frequência Franco - 土 0,5 - DB  
Capacidade Ct - 0,65 0,75 PF -
Tempo de resposta Tr 0,1 -   ns -
Perda de retorno R1     -45 DB  
cso do cso - - -70 - dBc 45~860MHz
CTB CTB - - -80 - dBc 45~860MHz

 

 

 

Hicorpwell é uma tomada profissional nos módulos coaxiais do diodo do fotodetector de InGaAs (receptáculo ativo ótico análogo ROSA para obstruir dentro)

 

fabricante em China. Nós igualmente fornecemos diodos láser da borboleta, diodo de detector coaxial do laser da trança de InGaAs, dispositivo coaxial do laser do diodo da trança

e mais.

 

Atribuição de Pin 5.PD:

             

                                                             

                                           fotodiodo de InGaAs da área 1100nm-1650nm pequena com tipo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs 2

                                                                            

                                                    

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   fotodiodo de InGaAs da área 1100nm-1650nm pequena com tipo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs 3

 

 

 

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