SC com tipo fotodiodo do obturador de InGaAs da área pequena do comprimento de onda da microplaqueta 1260-1620nm do detector de InGaAs
50 PCes
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SC With Shutter Type InGaAs Detector Chip 1260-­1620nm Wavelength Small Area InGaAs Photodiode
Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações
Características
Informação básica
Lugar de origem: China
Marca: HICORPWELL
Certificação: ISO9001;2015
Número do modelo: SC com tipo detector do obturador de InGaAs
Realçar:

detector de 2mw Ingaas

,

SC com tipo detector do obturador de InGaAs

,

Detector alto de InGaAs da sensibilidade

Condições de Pagamento e Envio
Detalhes da embalagem: Caixa do ESD
Termos de pagamento: Western Union, L/C, T/T
Habilidade da fonte: 500pcs pela semana
Especificações
Tipo: SC com tipo detector do obturador de InGaAs
Responsivity alto: ≥0.85A/W 1310nm ≥o.90nm 1550nm
Corrente dianteira: 30V
Tipo do laser: Laser da fibra
Pagamento: TT/PayPal
Tensão reversa do máximo: 15 (PALÁDIO)
Opções do comprimento: opção de 0.1~1m
Fibra: Manutenção programada 9/125
Poder: 2mw
Pacote: Caixa do ESD
Descrição de produto

SC com tipo fotodiodo do obturador de InGaAs da área pequena do comprimento de onda da microplaqueta 1260-1620nm do detector de InGaAs

 

 

O SC com tipo detector do obturador de InGaAs é o mais de uso geral em receptores de CATV,

receptores do equipamento da detecção do poder e do sinal ótico para sistemas análogos.

O fotodiodo de InGaAs da área 1100nm-1650nm pequena usa uma microplaqueta do detector de InGaAs,

e características um um consumo da baixa potência, uma sensibilidade atual, alta escura pequena, umas grandes linearidades, um design compacto e o volume pequeno.

 

1. Características:

 

Baixa perda do retorno atual, baixa escura

Sensibilidade alta

Pacote coaxial, soldadura de laser

Resposta de pulso rápida

Confiança alta e vida longa da operação

 

2. Aplicações:

 

Receptor ótico análogo

Equipamento de teste

Rede de FTTH

CATV dianteiro/trajeto de retorno

Monitores de EDFA

Sistema de transmissão ótico

 

3. Avaliações máximas absolutas Tc=25°C:

 

Parâmetro Símbolo Avaliações Unidade
Poder da saturação Picosegundo 10,0 mW
Corrente dianteira Se 10,0 miliampère
Tensão do Reverser Vr 30 V
Temperatura de funcionamento Parte superior -40~+85 °C
Temperatura de armazenamento Tstg -40~+125 °C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.Optical e características elétricas Tc=25°C:

 

 

Parâmetro Símbolo Mínimo. Tipo Máximo. Unidade Condição de teste
Comprimento de onda de funcionamento λ 1100 1310 1650 nanômetro  
Responsabilidade R 0,85 0,9   A/W Vr=5V, λ =1310nm
0,9 0,95   A/W Vr=5V, λ =1550nm
Corrente escura Identificação   0,5 1,0 nA Vr=5V
Capacidade C   0,3 1,0 PF Vr=5V
Tempo de elevação/tempo de queda Tr/Tf     0,3 ns Vr=5V, 10~90%
Largura de banda Bw 2,5     Gigahertz Vr=5V

 

 

 

Hicorpwell é uma tomada profissional nos módulos coaxiais do diodo do fotodetector de InGaAs (receptáculo ativo ótico análogo ROSA para obstruir dentro)

fabricante em China.

Nós igualmente fornecemos diodos láser da borboleta, diodo de detector coaxial do laser da trança de InGaAs, dispositivo coaxial do laser do diodo da trança

e mais.

 

5.   Atribuição de Pin do paládio:

             

                                                             

                                           SC com tipo fotodiodo do obturador de InGaAs da área pequena do comprimento de onda da microplaqueta 1260-1620nm do detector de InGaAs 0

                                                                            

                                                    

                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                   SC com tipo fotodiodo do obturador de InGaAs da área pequena do comprimento de onda da microplaqueta 1260-1620nm do detector de InGaAs 1

SC com tipo fotodiodo do obturador de InGaAs da área pequena do comprimento de onda da microplaqueta 1260-1620nm do detector de InGaAs 2SC com tipo fotodiodo do obturador de InGaAs da área pequena do comprimento de onda da microplaqueta 1260-1620nm do detector de InGaAs 3

 

 

 

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